上網時間: 2012年10月09日
關鍵字：記憶體 標準型 伺服器 行動式 DRAMeXchange
根據 TrendForce 旗下記憶體產業研究部門 DRAMeXchange 調查，受終端市場需求轉變影響，標準型記憶體產出比例呈現逐年減少的走勢，今年首度降至總產出的50%以下，獲利率亦屬最差的產品別。
在非標準型記憶體方面，由於雲端運算的興起以及手持式裝置的高普及性，受益最大的兩個產品類別即是伺服器記憶體及行動式記憶體。TrendForce表示，2013年伺服器記憶體及行動式記憶體總產出比重將超過四成，高過於標準型記憶體的位元產出量，正式成為供給端主流。
以現今的供需曲線做觀察，PC DRAM價格自今年7月起持續下探，雖見DRAM產業已經逐漸往寡佔市場發展，但部份DRAM廠多餘產能尚未找到明確替代商品，為了維持產能利用率，仍以生產標準型記憶體為大宗，造成今年下半年度嚴重的供需失衡。
虧損狀態以台系DRAM廠商為最，由於在伺服器與行動式記憶體的市占有限，標準型記憶體的曝險比例相對遠高出其他國際廠商，造成持續的大幅虧損，產能轉移或退出市場勢在必行。
TrendForce預估，由於成本結構的差異過大，在短時間內將帶動另一波更大幅度的減產潮，標準型記憶體至2013年預估更會進一步的下滑至不到產出的四成，位元出貨與今年相較反而呈現負成長，是PC DRAM生產數量首度衰退的一年。
由伺服器記憶體做觀察，由於市場切入不易，此產品別呈現高度集中在一線DRAM大廠手上，若以營收而言，三星半導體(Samsung)市佔率穩居60%以上，另一家韓商SK Hynix與美系廠商美光半導體(Micron)分處於市佔第二與第三，而市面上數家記憶體模組大廠亦摩拳擦掌，積極參與中小型企業的標案，伺服器記憶體市場的寡佔型態比標準型記憶體市場更加顯著。
由歷史價格做觀察，由於產品設計與封裝型態與PC DRAM同質性高，所以伺服器記憶體的價格走勢與標準型記憶體通常呈現高度正相關，漲跌的走勢與標準型記憶體雷同，唯漲跌時間點會較標準型記憶體些微落後。
而自今年下半年起，受惠於4Gb顆粒逐漸轉趨成熟，8GB模組正式成為供貨主流，價格的競爭也最為明顯，至年底前可望最低達到約40美元水位；另外，由於單機DRAM搭載量將可望由今年的43GB成長至明年的50GB以上。
供給端因應此趨勢，16GB記憶體模組的生產數量亦逐步提高，由廠商的價格策略研判，預計2013下半年將正式成為出貨主流，屆時16GB的售價可望降至60至70美元區間，與標準型記憶體相較仍具可觀的獲利空間。
有鑑於此，供給端的大廠在做製程轉進的規劃時，紛紛將伺服器記憶體設定為最優先的產品類別，預估將在2013年陸續轉至20奈米，進一步改善成本結構，以期增加獲利空間。
而在行動式記憶體方面，營收市佔率亦是三星一家獨大的態勢、超過60%，但其他競爭對手如SK Hynix、Elpida、Micron等技術層級與製程轉差異性小，供給端競爭激烈，造成平均銷售單價的跌幅加劇，2012年平均以每季至少10%的速度迅速下滑。
展望2013年，智慧型手機出貨量預估將有近三成的年成長，達到830萬台以上，再配合上高成長性的單機記憶體搭載量，並加計平板電腦以及Ultrabook對行動式記憶體的貢獻來計算，需求端的位元年成長將高達52.7%，為所有產品別當中成長最顯著的一環。
TrendForce表示，2013年的行動式記憶體市場亦有多元化的走勢；首先 LPDDR3 的問世將是各家產品發展的重點，規格上來看，耗電量除可與LPDDR2不相上下，運作時脈更可望進一步提高，加速系統流暢運作。
除了智慧型手機以及平板電腦以外，高階Ultrabook亦可望搭載 LPDDR3 ，TrendForce預估由於LPDDR3的應用廣泛，市場端接受度將快速成長，預計在正式量產以後的三個季度內就會與LPDDR2同塍 ，於 014年正式成為行動式記憶體的主流應用。
在LPDDR3新產品以外，行動式記憶體與eMMC相結合的eMCP封裝由於相對具有成本優勢，亦有效的縮短客戶的驗證時程，頗受需求端客戶青睞，在行動式記憶體的比例將大幅提升，至2013年年底預計將有四成以上的佔有率，亦成為各家DRAM廠競逐的重點產品之一。
TrendForce指出，目前eMCP技術最為成熟的廠商仍為兩大韓廠，尤其以三星的成熟度最高，寡佔市場型態下，價格下跌的速度相較於其他產品別較不顯著，但於明年起將會有新競爭廠商的加入，自2013年下半年度的跌價將會加速。
由目前的市價做計算，LPDDR2 2Gb顆粒價格與標準型記憶體DDR3 2Gb相較仍有約三倍的差距，廠商在該領域的獲利程度仍遠高過於PC DRAM，將會吸引更多廠商加入該市場的競爭，成為各家競逐的主要戰場。
TrendForce預期，2013年DRAM產業版圖大致抵定下，製程技術領先的DRAM廠商與其他競爭對手技術甚至超過二個世代下，成本結構迥異亦造成盈虧狀況明顯的不同。市佔第一的三星半導體已經奪下近二分之一的產業營收，高度集中的市場型態儼然形成，三星半導體對於記憶體產業後續的策略規劃將會左右DRAM供應鏈生態以及價格走勢。
日前三星已經宣布記憶體於2013年的總資本支出將會降至今年的五成以下，顯見即便連年獲利的企業對DRAM後續市場發展也呈現較為保守的態勢。由製程演進做觀察，當製程轉進25奈米，物理極限加上現有機台無法再往先進製程邁進下，後續製程演進將會牽涉到EUV機台，除了資本支出將大幅擴大外，進入2X奈米領域的的門檻將更高，營運風險增大。
TrendForce認為，三星的態度轉趨保守對長期產業的均衡有穩定的效果，獲利率的重要性顯然高於增加市占。後續DRAM產業的營收與獲利是否可以回歸健康面將有賴於剩餘產能的退出或轉型，DRAM產業的版圖在進入EUV時代後預計可望呈現較有市場機制的供需狀態。
EUV
2007/09/28-宋丁儀
目前浸潤式微顯影曝光技術採用純水為介質，已可因應45奈米製程所需，在向下延伸至32奈米。
浸潤式微顯影技術必須將晶片電路線寬分批2次曝光，技術上仍舊可以做到。但到了22奈米以下即便是浸潤式顯影雙重曝光，也已達光學極限，必須尋求其他光源，而深紫外光(EUV)光源的光波長僅13.5奈米，是目前浸潤式顯影光源193奈米光波的15分之1，可以達到更深的焦距深度(Depth of Focus)，因此被視為繼浸潤式顯影之後，可能下一世代的顯影解決方案之一，代表推動EUV技術的半導體設備業者為艾司摩爾(ASML)。
但就市場而言，EUV由於技術上也面臨多重瓶頸，例如光罩、光源能量等問題，亦被視為成本太高，因此市場對其能否實現量產，仍不乏疑慮。過去32奈米製程上，曾考慮引進EUV曝光技術的業者如Intel、松下、富士通進入22奈米製程時，已考慮採EUV曝光技術，此外，台積電也有考量使用Multi E-Beam Direct Write作為下一世代的可能曝光技術方案。
DIGITIMES中文網 原文網址: 360°科技－EUV http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?CnlID=10&cat=30&id=0000067136_A568960OGJ4E37J5Z0OJQ&ct=2#ixzz29xGGf7RU
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